Политехнический терминологический толковый словарь. Составление: В. Бутаков, И. Фаградянц. 2014.
критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая… … Справочник технического переводчика
критическая концентрация электронов проводимости — критическая концентрация электронов проводимости; критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости … Политехнический терминологический толковый словарь
Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — 29. Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника Критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости Источник: ГОСТ… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
критическая концентрация электронов проводимости — kritinis laidumo elektronų tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. critical concentration of conduction electrons; critical density of conduction electrons; critical electron density vok. Elektronenzünddichte, f; kritische… … Fizikos terminų žodynas
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Elektronenzünddichte — kritinis laidumo elektronų tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. critical concentration of conduction electrons; critical density of conduction electrons; critical electron density vok. Elektronenzünddichte, f; kritische… … Fizikos terminų žodynas
critical concentration of conduction electrons — kritinis laidumo elektronų tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. critical concentration of conduction electrons; critical density of conduction electrons; critical electron density vok. Elektronenzünddichte, f; kritische… … Fizikos terminų žodynas
critical density of conduction electrons — kritinis laidumo elektronų tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. critical concentration of conduction electrons; critical density of conduction electrons; critical electron density vok. Elektronenzünddichte, f; kritische… … Fizikos terminų žodynas
